Кремниевые ионно-имплантированные детекторы

Полупроводниковые детекторы для спектрометрии и радиометрии рентгеновского и гамма-излучения. Обеспечивают регистрацию излучения и используются в составе измерительных и дозиметрических приборов радиационного контроля.

Задать вопрос

Полное описание

Таблица 1 — Размерный ряд серийно выпускаемых кристаллов (топология 2025)

Площадь активной структуры, мм²	Размер активной области, мм	Размер кристалла, мм	Толщина пластины (Н), мкм	Конструкция входного окна (чувствительной области)
1	1х1	2,71х2,71	0,34-0,35	0.4мкм Al
0.38	Ø0,7	1х1		1,2 мкмAl
4	2х2	3,71х3,71	0,34-0,35	0.4мкм Al
4	2х2	3,71х3,71	1000	0.4мкм Al
25	5х5	6,71х6,71	0,34-0,35	0.4мкм Al
56	7х8	8,71х9,71	0,34-0,35	0.4мкм Al
100	10х10	11,71х11,71	0,34-0,35	0.4мкм Al
225	15х15	16,71х16,71	0,34-0,35	0.4мкм Al
484	22х22	23,71х23,71	0,34-0,35	0.4мкм Al
484	22х22	23,71х23,71	0,34-0,35	SiO2-100Å
1117	33,42х33.42	35,13х35,13	0,34-0,35	0.4мкм Al

Таблица 2 — Электрофизические характеристики детекторов

№ п/п	Наименование параметра Единица измерения	Размеры активной структуры детектора, мм
№ п/п	Наименование параметра Единица измерения	1x1	5x5	10x10	33,42x33,42
1	Напряжение полного обеднения, В, не более	50-60	50-60	50-60	50-60
2	Обратный ток диода при Uсм = 60 В и Т = 20°C, не более, нА ¹	2	50	200	2234